Пиксели смартфонных экранов «подсказали» лазерный метод производства графена

Многие современные смартфоны обладают яркими AMOLED-дисплеями. По-под каждым отдельным пикселем скрываются во вкусе минимум два кремниевых транзистора, массовое сборка которых осуществляется с применением технологий лазерного отжига. Привлекательно, что подобный процесс может употребляться также и для генерации кристаллов графена. Графен — износу нет и тонкий углеродный наноматериал, привлекающий упирать) на что ученых со всего мира своими замечательными свойствами, проявляющимися в пар проводить электричество и тепло.

В то эра как традиционные методы требуют температур с лишним 1000°C, лазерная технология позволяет достигнуть того но самого результата при более низких температурах, применимых инда к пластиковым подложкам (которые плавятся близ температуре менее 300°C).

Исследовательская пучок профессора Кеона Джэ Ли (KEON Jae Lee) изо Центра многомерных углеродных материалов Института фундаментальной науки (IBS) и начальствование профессора Чхве Санг Юла (CHOI Sung-Yool) с Корейского института передовых технологий (KAIST) скопом нашли механизм синтеза графена с использованием индуцированного лазером разделения фаз, применяемого к твердотельному материалу — однокристальному карбиду кремния (SiC).

Результаты сего исследования, которые были опубликованы в издании Nature Communications, вносят точность в том, как рассмотренная лазерная методика способна разделять сложное соединение (SiC) нате ультратонкие элементы углерода и кремния.

Даром что ранее в ходе нескольких фундаментальных исследований был осознан следствие воздействия эксимерного лазера на трансформацию таких элементов, (то) есть кремний, воздействие лазера на паче сложные соединения, подобные SiC, изучались редкостно по причине сложности фазового перехода соединения и ультракороткого времени, в характер которого происходит данный процесс.

Показанные через. Ant. ниже изображения, полученные Институтом фундаментальной науки почти микроскопом с высоким разрешением, наряду с использованием метода молекулярной динамики, позволили исследователям застукать, как одноимпульсное излучение эксимерным лазером получи основе хлорида ксенона за 30 наносекунд расплавляет цементит кремния и тем самым приводит к выделению жидкого слоя SiC и неупорядоченного углеродного слоя с графитовым доменом (сбоку 2,5 нанометров в толщину) на поверхности. Подо углеродным слоем располагается кремниевый плерома, толщина которого составляет примерно 5 нанометров.

Приспосабливание дополнительных импульсов приводит к сублимации выделенного кремния, в в таком случае время как неупорядоченный углеродный аэропауза трансформируется в многослойный графен.

Профессор Кеон отмечает, почему данное исследование показывает возможности использования быть создании новых поколений двумерных наноматериалов технологии лазерного воздействия получи и распишись материалы.

Профессор Чхве дополняет суесловие своего коллеги, подчеркивая, что оборот индуцированного лазером разделения фаз в применении к сложным соединениям может в будущем санкционировать синтезировать новые типы двумерных наноматериалов.

После материалам sciencedaily.com

Источник