Пиксели смартфонных экранов «подсказали» лазерный метод производства графена

Многие современные смартфоны обладают яркими AMOLED-дисплеями. Подина каждым отдельным пикселем скрываются словно минимум два кремниевых транзистора, массовое выделывание которых осуществляется с применением технологий лазерного отжига. Курьезно, что подобный процесс может прилагаться также и для генерации кристаллов графена. Графен — долговременный и тонкий углеродный наноматериал, привлекающий рачительность ученых со всего мира своими замечательными свойствами, проявляющимися в данные проводить электричество и тепло.

В то присест как традиционные методы требуют температур сверху 1000°C, лазерная технология позволяет достигнуть того но самого результата при более низких температурах, применимых пусть даже к пластиковым подложкам (которые плавятся присутствие температуре менее 300°C).

Исследовательская блок профессора Кеона Джэ Ли (KEON Jae Lee) изо Центра многомерных углеродных материалов Института фундаментальной науки (IBS) и великолепная пятерка и вратарь профессора Чхве Санг Юла (CHOI Sung-Yool) изо Корейского института передовых технологий (KAIST) всем скопом нашли механизм синтеза графена с использованием индуцированного лазером разделения фаз, применяемого к твердотельному материалу — однокристальному карбиду кремния (SiC).

Результаты сего исследования, которые были опубликованы в издании Nature Communications, вносят объяснимость в том, как рассмотренная лазерная методика способна разделять сложное соединение (SiC) возьми ультратонкие элементы углерода и кремния.

Пусть бы ранее в ходе нескольких фундаментальных исследований был осознан явление воздействия эксимерного лазера на трансформацию таких элементов, т. е. кремний, воздействие лазера на сильнее сложные соединения, подобные SiC, изучались в кои веки по причине сложности фазового перехода соединения и ультракороткого времени, в устремленность которого происходит данный процесс.

Показанные за пределами изображения, полученные Институтом фундаментальной науки лещадь микроскопом с высоким разрешением, наряду с использованием метода молекулярной динамики, позволили исследователям нащупа, как одноимпульсное излучение эксимерным лазером держи основе хлорида ксенона за 30 наносекунд расплавляет цементит кремния и тем самым приводит к выделению жидкого слоя SiC и неупорядоченного углеродного слоя с графитовым доменом (окрест 2,5 нанометров в толщину) на поверхности. Почти углеродным слоем располагается кремниевый ионосфера, толщина которого составляет примерно 5 нанометров.

Употребление дополнительных импульсов приводит к сублимации выделенного кремния, в ведь время как неупорядоченный углеродный прослойка трансформируется в многослойный графен.

Профессор Кеон отмечает, зачем данное исследование показывает возможности использования присутствие создании новых поколений двумерных наноматериалов технологии лазерного воздействия получи и распишись материалы.

Профессор Чхве дополняет суесловие своего коллеги, подчеркивая, что употребление индуцированного лазером разделения фаз в применении к сложным соединениям может в будущем дать добро синтезировать новые типы двумерных наноматериалов.

Объединение материалам sciencedaily.com

Источник