Создано первое устройство без использования полупроводниковых материалов

До сего времени существующие на данный момент электронные устройства созданы бери основе различных полупроводниковых материалов, внутренние резервы которых исчерпаемы, и рано или поезд ушел производители достигнут «порога», за которого наращивать мощность уже безграмотный получится. Ученые давно задумались о разработке альтернативного решения угоду кому) создания электронных девайсов, и совсем не далее как группа исследователей из Калифорнийского университета в Кардинал-Диего создала первый в своем роде микрочип, в архитектуре которого отсутствуют полупроводниковые материалы.

Ученые в своей разработке заменили полупроводники возьми свободные электроны, движущиеся в пространстве. В основе технологии лежит (у)строение, испускающее свободные электроны с особой шафранно-желтый метаповерхности. Эта метаповерхность состоит изо чередующихся золотых полос, имеющих форму «гриба». Хозяйка конструкция находится на платформе, покрытой диоксидом кремния.

Порой на всю эту конструкцию подается труд в 10 Вольт и пучок света инфракрасного лазера, получи и распишись метаповерхности возникают области с высокой напряженностью электрического полина. Под воздействием этих сил электроны начинают выступать в окружающее пространство, что вызывает возрастание электропроводимости. По словам профессора Калифорнийского университета Дэна Сивенпайпера,

«Сие устройство, без сомнений, не сможет сменять полупроводниковые приборы всех имеющихся нате сегодняшний день типов. Но возьми его основе уже сегодня хоть будет создать альтернативу полупроводникам, использующимся в насильственный электронике или в высокочастотной технике. В эту пору нам предстоит выяснить, насколько наша сестра сможем улучшить параметры таких устройств и до чего велики могут быть значения их характеристик».

Созданное калифорнийскими учеными структура, вполне возможно, может открыть новую страницу в микроэлектронике, так-таки экспериментируя с метаповерхностями различных типов, думается создание аналогов практически всех существующих полупровониковых стуктур с видно более высокой скоростью работы.

Источник