Новости

Samsung начала производство ARM-процессоров на базе 10-нм техпроцесса

Автор Дата 24.10.2016

Производители микропроцессоров продолжают соперничать с законом Мура, однако компания Samsung первой объявила о волюм, что начинает производство чипов возьми базе 10-нанометрового техпроцесса, обогнав в этом деле хотя (бы) Intel, не говоря уже о других компаниях. Чтоб было понятно, о чем идет панегирик: транзисторы этих процессоров будут итого в 50 раз больше атома кремния, что такое? примерно равно 0,2 нанометра.

Samsung безлюдный (=малолюдный) рассказала о том, кто будет производить на свет процессоры, однако корейское новостное труд Electronic Times говорит, что южнокорейский великан уже подписал эксклюзивную сделку в соответствии с производству процессора Qualcomm нового поколения, Snapdragon 830, кой будет базироваться на 10-нанометровом техпроцессе.

Для того производства новых многослойных 3D-транзисторов Samsung полноте использовать свой 10-нанометровый FinFET-тяжба. Это, как говорит компания, позволит поднять производительность чипов на 27 процентов и присутствие этом на 40 процентов понизить. Ant. увеличить их энергопотребление, по сравнению с 14-нм процессорами.

Samsung говорит, чисто первое поколение новых процессоров получи и распишись базе нового техпроцесса появится в устройствах в начале следующего годы. Второе поколение этих процессоров поступит к производителям электроники идеже-то во второй половине 2017 лета.

Если Samsung действительно построит Snapdragon 830, наподобие говорят слухи, то, вероятнее в (итоге, первыми этот процессор получат устройства таких компаний, по образу Google, HTC и Sony. Кроме того, без- следует забывать, что Samsung выпускает и близкие устройства на базе процессоров Snapdragon, (вследствие весьма вероятно, что использовать новичок чип компания будет уже в наследнике Galaxy S7 и, пожалуй что, в новом продукте линейки Note (буде он вообще будет, так вроде последние слухи говорят о том, по какой причине компания и вовсе хочет отказаться через этой линейки в будущем).

Источник

Оставить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *